트랜지스터의 유형
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IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02-02-2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
01-20-2026
30MHz~1.2GHz에서 작동하는 15W(P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
01-19-2026
SiC HEMT 사이드 25W, 50Ω 입력 정합 이산 질화갈륨은 50V 전원 레일에서 30MHz~1,400MHz 범위에서 작동합니다.
Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터
01-19-2026
30MHz~1.2GHz에서 작동하는 7W (P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET
12-26-2025
이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET
12-23-2025
폭넓은 포트폴리오 제공으로 업계 벤치마크 성능을 설정합니다.
Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET
12-19-2025
전기차(EV) 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.
onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET
onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET
12-19-2025
높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.
onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET
12-04-2025
낮은 유효 출력 정전용량과 초저 게이트 전하가 특징입니다.
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터
12-04-2025
고효율 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 E-Mode PowerGaN 트랜지스터입니다.
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터
12-01-2025
DTO247 패키지는 병렬로 연결된 여러 저전류 TO247 패키지 트랜지스터를 대체합니다.
onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET
onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET
11-25-2025
매우 낮은 RDS (on) 및 빠른 스위칭 속도를 위한 고성능 트렌치 기술을 제공합니다.
onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET
11-25-2025
극히 낮은 RDS (on) 스위칭 성능과 견고성을 위해 파워트렌치 기술을 사용하여 제작됩니다.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11-24-2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Central Semiconductor 1,700V N 채널 SiC(탄화 규소) MOSFET
Central Semiconductor 1,700V N 채널 SiC(탄화 규소) MOSFET
11-20-2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
onsemi NVD6824NL 단일 N- 채널 MOSFET
onsemi NVD6824NL 단일 N- 채널 MOSFET
11-20-2025
전도 손실과 높은 전류 성능을 최소화하기 위해 낮은 RDS (on)를 제공합니다.
onsemi NVD5867NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
onsemi NVD5867NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
11-20-2025
60 V 드레인-소스 전압, 39mΩ 드레인-소스 온 저항이 특징이며 AEC-Q101 인증을 받았습니다.
onsemi NVMFS5830NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
onsemi NVMFS5830NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
11-19-2025
까다로운 전력 관리 애플리케이션용으로 설계된 고효율 단일 N- 채널 전력 MOSFET입니다.
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
11-19-2025
전도 및 스위칭 손실이 낮은 높은 성능 지수를 제공합니다.
onsemi NVMFS5832NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
onsemi NVMFS5832NL 단일 N-채널 전력 MOSFET
11-19-2025
효율적 인 전력 스위칭이 필요한 저전압 애플리케이션용으로 설계된 고성능 MOSFET입니다.
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN 트랜지스터
STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN 트랜지스터
11-07-2025
GaN 기술을 기반으로 구축되었으며 까다로운 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
Diodes Incorporated 2N7002 N-채널 E-모드 전계 효과 트랜지스터
Diodes Incorporated 2N7002 N-채널 E-모드 전계 효과 트랜지스터
10-31-2025
낮은 게이트 전하와 60V 최대 드레인-소스 전압으로 신속한 스위칭 성능을 제공합니다.
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
10-31-2025
The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW 이중 N채널 E-모드 MOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW 이중 N채널 E-모드 MOSFET
10-31-2025
뛰어난 열 성능의 단일 PowerDI® 5mm x 6mm 패키지에 두 개의 MOSFET을 통합합니다.
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
10-31-2025
The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.
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