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이산 반도체의 유형

목록 이미지

적용된 필터:

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onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET

12-26-2025

- 이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.

onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET

12-19-2025

- 높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.

onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET

12-04-2025

- 낮은 유효 출력 정전용량과 초저 게이트 전하가 특징입니다.

onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET

11-25-2025

- 매우 낮은 RDS (on) 및 빠른 스위칭 속도를 위한 고성능 트렌치 기술을 제공합니다.

onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET

11-25-2025

- 극히 낮은 RDS (on) 스위칭 성능과 견고성을 위해 파워트렌치 기술을 사용하여 제작됩니다.

onsemi NVD6824NL 단일 N- 채널 MOSFET

11-20-2025

- 전도 손실과 높은 전류 성능을 최소화하기 위해 낮은 RDS (on)를 제공합니다.

onsemi NVD5867NL 단일 N-채널 전력 MOSFET

11-20-2025

- 60 V 드레인-소스 전압, 39mΩ 드레인-소스 온 저항이 특징이며 AEC-Q101 인증을 받았습니다.

onsemi NVMFS5832NL 단일 N-채널 전력 MOSFET

11-19-2025

- 효율적 인 전력 스위칭이 필요한 저전압 애플리케이션용으로 설계된 고성능 MOSFET입니다.

onsemi NVMFS5830NL 단일 N-채널 전력 MOSFET

11-19-2025

- 까다로운 전력 관리 애플리케이션용으로 설계된 고효율 단일 N- 채널 전력 MOSFET입니다.

onsemi NZ8P Zener Protection Diodes

11-19-2025

- ESD 및 과도 전압 이벤트로부터 민감한 전자 구성 요소를 보호하도록 설계되었습니다.

onsemi AFGB30T65RQDN IGBT

11-19-2025

- 전도 및 스위칭 손실이 낮은 높은 성능 지수를 제공합니다.

onsemi NVNJWS200N031L 단일 N-채널 전력 MOSFET

10-14-2025

- 이 장치는 낮은 RDS(on) 및 낮은 게이트 임계값을 가지며 습식 측면으로 제공됩니다.

onsemi NTK3139P P-채널 싱글 전력 MOSFET

10-14-2025

- 설치 면적이 44% 더 작은 패키지로 제공되며 SC-89 패키지보다 38% 더 얇습니다.

onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-채널 필드 스톱 VII IGBT

10-13-2025

- 이 장치는 낮은 온 상태 전압과 낮은 스위칭 손실로 우수한 성능을 제공합니다.

onsemi AFGBG70T65SQDCN-채널 필드 스톱 IV IGBT

10-13-2025

- 이 장치는 낮은 전도 및 스위칭 손실로 최적의 성능을 제공합니다.

onsemi T10 저/중전압 MOSFET

10-06-2025

- 향상된 성능과 향상된 시스템 효율성을 갖춘 40V 및 80V의 단일 N-채널 MOSFET.

onsemi MMQA/SZMMQA ESD 보호 다이오드

09-23-2025

- 이러한 장치는 과도 과전압 보호 기능이 필요한 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.

onsemi NSBAMXW PNP 바이어스 저항기 트랜지스터

09-09-2025

- 단일 장치와 관련 외부 저항기 바이어스 네트워크를 대체하도록 설계되었습니다.

onsemi NSBCMXW NPN 바이어스 저항 트랜지스터

09-08-2025

- 단일 장치와 관련 외부 저항 바이어스 네트워크를 대체하도록 설계되었습니다.

onsemi NTK3134N 단일 N-채널 전력 MOSFET

09-08-2025

- 견고한 20 V의 890 mA 고효율 스위칭 애플리케이션에 최적화된 N-채널 전력 MOSFET입니다.

onsemi SZMM3ZxT1G 자동차 제너 전압 레귤레이터

09-05-2025

- 자동차 전자 시스템의 전압 조정 및 보호를 위해 설계되었습니다.

onsemi NxJS3151P 단일 P-채널 전력 MOSFET

09-04-2025

- 전력 밀도와 안정성이 중요한 공간 제약적인 설계에 이상적입니다.

onsemi NXH600N10x 3-레벨 NPC 인버터 모듈

08-25-2025

- I-타입 중성점 클램핑 3레벨 인버터가 포함된 F5BP의 전원 모듈.

onsemi SZMMSZ52xT1G 자동차 제너 전압 레귤레이터

08-25-2025

- 정밀한 전압 조정 및 과전압 보호 기능을 제공하도록 설계되었습니다.

onsemi MURS220/NRVUS220V/SURS8220 전력 정류기

08-21-2025

- 효율성 및 열 성능이 중요한 고속 스위칭 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.

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필터링 기준:

TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02-05-2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02-03-2026

- Designed for demanding power conversion applications

Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers

02-03-2026

- Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.

Vishay 고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드

02-03-2026

- 까다로운 전력 전자 애플리케이션에서 탁월한효율성, 견고성 및 신뢰성을 제공합니다.

Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers

02-03-2026

- Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.

Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode

02-03-2026

- Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02-02-2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo QPD1014A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터

01-20-2026

- 30MHz~1.2GHz에서 작동하는 15W(P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.

IXYS DP 고전압, 고속 복구 다이오드

01-20-2026

- 역 누설 전류가 낮고 복구 시간이 빠른 600 V 또는 1 200 V 쇼트 키 다이오드입니다.

Qorvo QPD1011A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터

01-19-2026

- 30MHz~1.2GHz에서 작동하는 7W (P3dB), 50Ω 입력 정합 이산 GaN-on-SiC HEMT.

Qorvo QPD1004A 질화갈륨 입력 정합 트랜지스터

01-19-2026

- SiC HEMT 사이드 25W, 50Ω 입력 정합 이산 질화갈륨은 50V 전원 레일에서 30MHz~1,400MHz 범위에서 작동합니다.

Littelfuse SM15KPA-HRA 및 SM30KPA-HRA 고신뢰성 다이오드

01-13-2026

- 항전, 항공 및 eVTOL 애플리케이션에서 I/O 인터페이스, VCC 버스 및 기타 회로를 보호합니다.

Littelfuse SP432x-01WTG TVS 다이오드

01-08-2026

- 초저 정전 용량, 양방향 작동 및 높은 수준의 보호 기능 제공.

onsemi NVBYST0D6N08X 80V N채널 전력 MOSFET

12-26-2025

- 이 장치는 TCPAK1012(TopCool) 패키지에 낮은 QRR 및 소프트 복구 보디 다이오드를 제공합니다.

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V 전력 MOSFET

12-23-2025

- 폭넓은 포트폴리오 제공으로 업계 벤치마크 성능을 설정합니다.

onsemi NVMFD5877NL 듀얼 N채널 MOSFET

12-19-2025

- 높은 열 성능을 포함하여 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다.

Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET

12-19-2025

- 전기차(EV) 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN 트랜지스터

12-04-2025

- 고효율 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 E-Mode PowerGaN 트랜지스터입니다.

onsemi NxT2023N065M3SEliteSiC MOSFET

12-04-2025

- 낮은 유효 출력 정전용량과 초저 게이트 전하가 특징입니다.

Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터

12-01-2025

- DTO247 패키지는 병렬로 연결된 여러 저전류 TO247 패키지 트랜지스터를 대체합니다.

onsemi FDC642P-F085 소신호 MOSFET

11-25-2025

- 매우 낮은 RDS (on) 및 빠른 스위칭 속도를 위한 고성능 트렌치 기술을 제공합니다.

onsemi NTTFS007P02P8 P 채널 저전압/중전압 MOSFET

11-25-2025

- 극히 낮은 RDS (on) 스위칭 성능과 견고성을 위해 파워트렌치 기술을 사용하여 제작됩니다.

Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode

11-24-2025

- Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11-24-2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

Bourns SMLJ-R 과도 전압 억제 다이오드

11-24-2025

- 서지 및 ESD 보호를 위해 설계되었으며 소형 칩 패키지 DO-214AB(SMC) 크기 형식으로 제공됩니다.

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이산 반도체의 유형

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