2666 MT/s 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
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작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
Micron 메모리 모듈 DDR4 16GB RDIMM
데이터시트
제품 코멘트
16재고 상태
최소: 1
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최대: 100

RDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 95 C 288 Pin
Advantech SQR-UD4N16G2K6SNCB
Advantech 메모리 모듈 288pin UDIMM DDR4 2666 16GB 1.2v 1Gx8(0-85)
데이터시트
2재고 상태
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Advantech 메모리 모듈 UDIMM DDR4 2400 8GB 1G*8 (0-85) SAM-B
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 4GB 2666MT/s 512Mx8
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2666MT/s 512Mx8, 4GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

RDIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 8GB 2666MT/s 1Gx8
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

RDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2666MT/s 1Gx8, 16GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

RDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2666MT/s 2Gx8 32GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

RDIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 4GB 2666MT/s, 512Mx16
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 8GB 2666MT/s, 1Gx8
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 16GB 2666MT/s, 1Gx8
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2666MT/s, 1Gx8, 8GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2666MT/s 1Gx8, 16GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2666MT/s 2Gx8 32GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
SMART Modular Technologies ST1026SO410893-SD
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR4 Value SODIMM 8GB 1Gbx64 260-Pin 2666MT/s PC4-21300 CL = 19 1.2V 1Gx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm C-Temp 재고 없음
최소: 50
배수: 1

SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
SMART Modular Technologies ST1026UD410893-SC
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR4 Value UDIMM 8GB 1Gbx64 288-Pin 2666MT/s PC4-21300 CL = 19 1.2V 1Gx8 Non-ECC Single Rank 31.25mm C-Temp 재고 없음
최소: 50
배수: 1

UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 70 C 288 Pin
SMART Modular Technologies ST2046UD410893-SC
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR4 Value UDIMM 16GB 2Gbx64 288-Pin 2666MT/s PC4-21300 CL=19 1.2V 1Gx8 Non-ECC Dual Rank 31.25mm C-Temp 재고 없음
최소: 50
배수: 1

UDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 70 C 288 Pin
SMART Modular Technologies ST5126SO451693-SC
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR4 Value SODIMM 4GB 512Mbx64 260-Pin 2400MT/s PC4-19200 CL=19 1.2V 512Mx16 Non-ECC Single Rank 30.00mm C-Temp 재고 없음
최소: 50
배수: 1

SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
SMART Modular Technologies STI1026SO410893-SD
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR4 Value SODIMM 8GB 1Gbx64 260-Pin 2666MT/s PC4-21300 CL=19 1.2V 1Gx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm I-Temp 재고 없음
최소: 50
배수: 1

SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module-Samsung Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V 288 Pin