1333 MT/s 메모리 모듈

결과: 201
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
Innodisk 메모리 모듈 6재고 상태
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.35 V, 1.5 V + 85 C 204 Pin
Apacer 메모리 모듈 8GB DDR3 1333 SO-DIMM 512x8 2 Rank CL8
데이터시트
3재고 상태
최소: 1
배수: 1

SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V + 95 C 204 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC Module
데이터시트
19재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
Innodisk 메모리 모듈 1333MT/s 4GB 256Mx16
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.35 V, 1.5 V + 85 C 204 Pin
Innodisk 메모리 모듈 1333MT/s, 128Mx16, 1GB
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 1 GB DDR3 1333 MT/s 1.35 V, 1.5 V + 85 C 204 Pin
Innodisk 메모리 모듈 1333MT/s 256Mx16 2GB
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.35 V, 1.5 V + 85 C 204 Pin
Innodisk 메모리 모듈 1333MT/s, 2GB, 256Mx16
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.35 V, 1.5 V + 85 C 204 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB VLP Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB VLP Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB VLP Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB VLP Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB VLP Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB VLP Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB VLP Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB VLP Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin