1333 MT/s 메모리 모듈

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 메모리 크기 메모리 타입 속도 작동 공급 전압 최고 작동온도 핀 수
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unbuffered ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM- ISSI DRAM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unbuffered ECC SO-DIMM - ATP DRAM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unbuffered ECC SO-DIMM - ISSI DRAM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM- ISSI DRAM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unbuffered ECC SO-DIMM - ATP DRAM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unbuffered ECC SO-DIMM - ISSI DRAM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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배수: 50
SODIMMs 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 IG Module 2GB Unb Non ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs, ECC 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 IG Module 2GB Unb ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs, ECC 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs, ECC 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Registered ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs, ECC 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Registered ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs, ECC 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs, ECC 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Registered ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs, ECC 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Registered ECC SO-DIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs, ECC 2 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin