3200 MT/s 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics D416G0UD328AFMI
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D416G0UD328AFMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D416G0UD328BGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D416G0UE328ZFMI
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D432G0SD3282CSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D432G0SD328EFMI
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D432G0SD328EFMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D432G0SE3282FMI
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D432G0UD328BCSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D432G0UD328BFMI
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D432G0UD328BFMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D432G0UE328EFMI
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D44G00SD326CGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D44G00SD326CRMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00SD326CCSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00SD328AGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00SD328ARMI
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00SD328ARMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00SE3283RMI
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00UD326CCSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D48G00UD328AGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D48G00UD328ARMI
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D48G00UD328ARMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D48G00UE328ZRMI
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin