2666 MT/s 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics D416G0SD268ACSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD268AFMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD268EGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD268ERMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0UD268AFMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D416G0UD268BGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D432G0SD2682CSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D432G0SD268EFMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D432G0UD268BCSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D432G0UD268BFMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D44G00SD266CGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D44G00SD266CRMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00SD266CCSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00SD268AGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00SD268ARMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00UD266CCSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D48G00UD268AGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D48G00UD268ARMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin