2400 MT/s 메모리 모듈

결과: 142
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics D416G0SD248AFMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD248EGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD248ERMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0UD248AFMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D416G0UD248BGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D432G0SD2482CSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D432G0SD248EFMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D432G0UD248BCSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D432G0UD248BFMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D44G00SD246CGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D44G00SD246CRMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00SD246CCSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00SD248AGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00SD248ARMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D48G00UD246CCSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D48G00UD248AGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics D48G00UD248ARMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin