3200 MT/s 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics A4C16QZ8BVWEME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVWESW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QC6BVWESAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D32QB8BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D32QB8BVWESW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4F04QD8BLWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F04QD8BLWESW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNWEME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNWESE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08QG8BLWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16Q38BVWEME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F32Q28BVWESW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QC6BVWESCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QA8BVWESCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNWEMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD328ACSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD328AFMI
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD328AFMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD328EGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD328ERMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SE3283FMI
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0UD328AFMI
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin