2133 MT/s 메모리 모듈

결과: 139
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics A4F16Q38BVPBME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16QD8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16QG8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F32Q28BVPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F32QG8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNPBMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNPBSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNPBMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNPBSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QC6BVPBSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QA8BVPBMFV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QA8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QA8BVPBSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNPBMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNPBSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVPBSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32QE8BVPBMFV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32QE8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD218ACSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD218AFMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD218EGSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD218ERMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin