2400 MT/s 메모리 모듈

결과: 142
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR3 2400 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR4 2400 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR3 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR3 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR3 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR3 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR3 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR3 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR3 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2400 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Mini-DIMM VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
Mini DIMM 8 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Mini-DIMM VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
Mini DIMM 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics A4B04QD8BLRCME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
RDIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4B04QG8BLRCME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
RDIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4B16QC4BNRCSO
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 500
배수: 50
RDIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4B32QE8BVRCSE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
LRDIMMs 32 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNRCME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNRCSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin