2133 MT/s 메모리 모듈

결과: 139
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics A4C08QD8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNPBME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNPBSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QD8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QE8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QZ8BVPBME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNPBMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNPBSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QC6BVPBSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D16QA8BVPBMFV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D16QA8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D16QB8BNPBSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D16QB8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D32QB8BVPBMFV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D32QB8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D32QB8BVPBSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D32QB8BVPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4F04QD8BLPBME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F04QD8BLPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNPBME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNPBSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08QD8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin