|
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module-Micron Org.
- A4B16QC4BNWEMO
- ATP Electronics
-
50:
₩264,996.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16QC4BNWEMO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module-Micron Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
- A4B16QE8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩242,044.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16QE8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
- A4B16QE8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩228,136.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16QE8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module-Samsung Org.
- A4B16QE8BNWESO
- ATP Electronics
-
50:
₩179,223.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16QE8BNWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module-Samsung Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP
- A4B16QH8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩250,389.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16QH8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP
- A4B16QH8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩182,552
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16QH8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module
- A4B32QB4BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩437,684
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B32QB4BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
- A4B32QB4BNWESO
- ATP Electronics
-
50:
₩292,235.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B32QB4BNWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Micron Org.
- A4B32QC4BVWEMO
- ATP Electronics
-
50:
₩494,577.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B32QC4BVWEMO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Micron Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
- A4B32QC4BVWESO
- ATP Electronics
-
50:
₩292,235.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B32QC4BVWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
- A4B32QE8BVWESO
- ATP Electronics
-
50:
₩292,235.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B32QE8BVWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module VLP
- A4B32QH8BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩340,525.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B32QH8BVWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module VLP
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 64GB Registered ECC Module-Samsung Org.
- A4B64QA4BVWESO
- ATP Electronics
-
50:
₩723,444
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B64QA4BVWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 64GB Registered ECC Module-Samsung Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
64 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
- A4C08QD8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩116,933.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QD8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
- A4C08QD8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩111,370.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C08QD8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩202,844
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QD8BVWEMW
- ATP Electronics
-
50:
₩191,109.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QD8BVWEMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QE8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩178,949.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QE8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
- A4C16QE8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩171,440.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C16QE8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Unb ECC DIMM
- A4C32QE8BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩313,636.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C32QE8BVWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC DIMM
- A4C32QE8BVWEMW
- ATP Electronics
-
50:
₩325,994.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4C32QE8BVWEMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC DIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs, ECC
|
32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unbuffered Non ECC Module
- A4D08QA8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩911,513.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4D08QA8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unbuffered Non ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unbuffered Non ECC Module
- A4D08QA8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩87,962.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4D08QA8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unbuffered Non ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unbuffered Non ECC Module
- A4D16QA8BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩163,384.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4D16QA8BVWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unbuffered Non ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb Non ECC Module
- A4D16QA8BVWEMW
- ATP Electronics
-
50:
₩167,549.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4D16QA8BVWEMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb Non ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
DIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
|
288 Pin
|
|