32 GB 3200 MT/s 메모리 모듈

결과: 38
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
Micron MTA36ASF4G72PBZ-3G2E1
Micron 메모리 모듈 DDR4 32GB RDIMM Z11B
제품 코멘트
64재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
RDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 95 C
Innodisk 메모리 모듈 3200MT/s 32GB 2Gx8 Ultra Temperature -40C - 125C
데이터시트
2재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 GB DDR4 3200 MT/s 5 V + 125 C 260 Pin
Kingston 메모리 모듈 NON-CONTROLLED BOM 32GB 3200MT/s DDR4 CL16 DIMM FURY Beast Black
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Kingston 메모리 모듈 NON-CONTROLLED BOM 32GB 3200MT/s DDR4 CL20 SODIMM FURY Impact
데이터시트
리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 3200MT/s 2Gx8 32GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

RDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 3200MT/s 2Gx8 32GB
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Kingston 메모리 모듈 32GB 3200MT/s DDR4 ECC CL22 DIMM 2Rx8 Hynix D
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주

Memory Modules 32 GB SDRAM - DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Kingston 메모리 모듈 32GB 3200MT/s DDR4 ECC Reg DIMM CL22 1Rx4 16Gbit Hynix C w/Rambus
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
Memory Modules 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Advantech 메모리 모듈 262pin ECC SODIMM DDR5 5600 32GB 2Gx8 Hy
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Memory Module 32 GB DDR5 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 262 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Micron Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb ECC DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC DIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unbuffered Non ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1
배수: 1
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb Non ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR4 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR3 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics A4B32QE8BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
LRDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin