ATP Electronics 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics A4G16QE8BNTDMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNTDSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNVFME
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNVFMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNVFSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNVFSW
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4G16QE8BNWEMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNWESCV
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
ATP Electronics A4G16QE8BNWESW
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4G32Q28BVPBSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVRCSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVTDSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVVFSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVVFSW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVWESAV
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
ATP Electronics A4G32Q28BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVWESW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4G32QE8BVPBMFV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32QE8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32QE8BVRCMFV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32QE8BVTDMFV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32QE8BVVFMFV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin