|
|
메모리 모듈 WT 8GB Non-ECC SODIMM
ATP Electronics A4G08QA8BNWESW
- A4G08QA8BNWESW
- ATP Electronics
-
50:
₩100,654.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNWESW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 8GB Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G08QC6BVPBSCV
- A4G08QC6BVPBSCV
- ATP Electronics
-
200:
₩84,588
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVPBSCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
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|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G08QC6BVRCSCV
- A4G08QC6BVRCSCV
- ATP Electronics
-
200:
₩84,588
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVRCSCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
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|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G08QC6BVTDSCV
- A4G08QC6BVTDSCV
- ATP Electronics
-
200:
₩84,588
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVTDSCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
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|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G08QC6BVVFSCV
- A4G08QC6BVVFSCV
- ATP Electronics
-
200:
₩84,588
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVVFSCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2933 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
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|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G08QC6BVWESCV
- A4G08QC6BVWESCV
- ATP Electronics
-
200:
₩84,588
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWESCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
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|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G08QC6BVWESO
- A4G08QC6BVWESO
- ATP Electronics
-
500:
₩75,680.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 500
배수: 50
|
|
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|
|
|
|
|
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|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QA8BVPBMFV
- A4G16QA8BVPBMFV
- ATP Electronics
-
200:
₩146,710.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVPBMFV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
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|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QA8BVPBMW
- A4G16QA8BVPBMW
- ATP Electronics
-
50:
₩175,894.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVPBMW
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QA8BVPBSCV
- A4G16QA8BVPBSCV
- ATP Electronics
-
200:
₩150,054.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVPBSCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
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|
|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QA8BVRCMFV
- A4G16QA8BVRCMFV
- ATP Electronics
-
200:
₩146,710.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVRCMFV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QA8BVRCSCV
- A4G16QA8BVRCSCV
- ATP Electronics
-
200:
₩150,054.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVRCSCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
|
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|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QA8BVTDMFV
- A4G16QA8BVTDMFV
- ATP Electronics
-
200:
₩146,710.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVTDMFV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QA8BVTDSCV
- A4G16QA8BVTDSCV
- ATP Electronics
-
200:
₩150,054.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVTDSCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QA8BVVFMFV
- A4G16QA8BVVFMFV
- ATP Electronics
-
200:
₩146,710.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVVFMFV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2933 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QA8BVVFSCV
- A4G16QA8BVVFSCV
- ATP Electronics
-
200:
₩150,054.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVVFSCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2933 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QA8BVWEMFV
- A4G16QA8BVWEMFV
- ATP Electronics
-
200:
₩146,710.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVWEMFV
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
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|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QA8BVWESAV
- A4G16QA8BVWESAV
- ATP Electronics
-
200:
₩133,228
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVWESAV
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
|
|
|
|
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|
|
|
|
|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QA8BVWESCV
- A4G16QA8BVWESCV
- ATP Electronics
-
200:
₩150,054.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVWESCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
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|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QA8BVWESO
- A4G16QA8BVWESO
- ATP Electronics
-
500:
₩140,372
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 500
배수: 50
|
|
|
|
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|
|
|
|
|
|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QE8BNPBMRV
- A4G16QE8BNPBMRV
- ATP Electronics
-
200:
₩153,383.2
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNPBMRV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QE8BNPBSCV
- A4G16QE8BNPBSCV
- ATP Electronics
-
200:
₩146,710.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNPBSCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QE8BNPBSW
- A4G16QE8BNPBSW
- ATP Electronics
-
50:
₩180,059.2
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNPBSW
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2133 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QE8BNRCMRV
- A4G16QE8BNRCMRV
- ATP Electronics
-
200:
₩153,383.2
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNRCMRV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
|
|
|
메모리 모듈
ATP Electronics A4G16QE8BNRCSCV
- A4G16QE8BNRCSCV
- ATP Electronics
-
200:
₩146,710.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNRCSCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 200
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
|
+ 85 C
|
260 Pin
|
|
대한민국