ATP Electronics 메모리 모듈

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 메모리 크기 메모리 타입 속도 작동 공급 전압 최고 작동온도 핀 수
ATP Electronics A4G04QC6BNRCSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNTDMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNTDSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNVFME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNVFMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNVFSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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SODIMMs 4 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNWEMRV
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최소: 200
배수: 50
ATP Electronics A4G04QC6BNWESCV
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최소: 200
배수: 50
ATP Electronics A4G04QC6BNWESE
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최소: 50
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SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNWESO
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배수: 50
ATP Electronics A4G08QA8BNPBMRV
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SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNPBSCV
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SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNRCMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNRCSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
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SODIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNTDMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
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SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNTDSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
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SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNVFME
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최소: 50
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SODIMMs 4 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNVFMRV
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SODIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNVFSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
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SODIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics A4G08QA8BNVFSW
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 8GB Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics A4G08QA8BNWEMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics A4G08QA8BNWESCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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