ATP Electronics 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics A4F08QD8BNVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4F08QD8BNVFSW
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 8GB ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4F08QD8BNWESW
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 8GB ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4F08QG8BLVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08QG8BLWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16Q38BVPBME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16Q38BVRCME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16Q38BVTDME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16Q38BVVFME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16Q38BVWEME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16QD8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16QG8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16QG8BNVFME
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16QG8BNVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16QG8BNVFSW
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4F16QG8BNWESW
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4F32Q28BVPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F32Q28BVVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4F32Q28BVVFSW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F32Q28BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4F32Q28BVWESW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F32QG8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNPBMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNPBSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNRCMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin