ATP Electronics 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics A4D32QB8BVVFSW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D32QB8BVWEMFV
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
ATP Electronics A4D32QB8BVWESAV
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
ATP Electronics A4D32QB8BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D32QB8BVWESO
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 500
배수: 50
ATP Electronics A4D32QB8BVWESW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4F04QD8BLPBME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F04QD8BLPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F04QD8BLRCME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F04QD8BLVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F04QD8BLVFSW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F04QD8BLWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F04QD8BLWESW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNPBME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNPBSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNRCME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNRCSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNTDME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNTDSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNVFME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNWEME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNWESE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08QD8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08QD8BNVFME
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin