ATP Electronics 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics A4C32QE8BVWESW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNPBMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNPBSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNRCMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNRCSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNTDMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNTDSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNVFME
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNVFMRV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNVFSCV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4D08QA8BNVFSW
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 8GB Non-ECC UDIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4D08QA8BNWEMRV
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
ATP Electronics A4D08QA8BNWESCV
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
ATP Electronics A4D08QA8BNWESW
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 8GB Non-ECC UDIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4D08QC6BVPBSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QC6BVRCSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QC6BVTDSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QC6BVVFSAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QC6BVWESAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QC6BVWESO
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 500
배수: 50
ATP Electronics A4D16QA8BVPBMFV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D16QA8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D16QA8BVRCMFV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin