ATP Electronics 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics A4C08QZ8BNPBSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNRCME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNRCSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNTDME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNTDSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNVFME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNWEME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNWESE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QD8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QE8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QE8BNVFME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QE8BNVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QE8BNVFSW
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB ECC UDIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4C16QE8BNWESW
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB ECC UDIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4C16QZ8BVPBME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QZ8BVRCME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QZ8BVTDME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QZ8BVVFME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QZ8BVWEME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVPBMW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVVFSW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin