ATP Electronics 메모리 모듈

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 메모리 크기 메모리 타입 속도 작동 공급 전압 최고 작동온도 핀 수
ATP Electronics A4B16QF4BNVFME
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4B16QF4BNVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4B16QF4BNWEME
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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ATP Electronics A4B16QF4BNWESE
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4B32QB4BNVFSO
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 500
배수: 50
RDIMMs 32 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4B32QC4BVVFSO
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 500
배수: 50
RDIMMs 32 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4B32QE8BVPBME
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4B32QE8BVPBSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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LRDIMMs 32 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4B32QE8BVRCME
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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ATP Electronics A4B32QE8BVRCSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
LRDIMMs 32 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4B32QE8BVTDME
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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ATP Electronics A4B32QE8BVTDSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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LRDIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4B32QE8BVVFME
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4B32QE8BVVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
LRDIMMs 32 GB DDR4 2933 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4B32QE8BVWEME
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4B32QE8BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
LRDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4B32QH8BVVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4B32QH8BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4B64QB4BVWESO
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
RDIMMs 64 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QD8BNPBSW
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QD8BNVFME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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UDIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QD8BNVFSE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2933 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QD8BNVFSW
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 8GB ECC UDIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4C08QD8BNWESW
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 8GB ECC UDIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics A4C08QZ8BNPBME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2133 MT/s + 85 C 288 Pin