ATP Electronics 메모리 모듈

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ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered Non ECC Module VLP CL6 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs 2 GB DDR2 800 MT/s 1.8 V to 2.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered ECC Module VLP CL6 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs, ECC 2 GB DDR2 800 MT/s 1.8 V to 2.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
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