ATP Electronics 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR3 2933 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2933 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR3 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb Mini-DIMM VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
Mini DIMM 4 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb Mini-DIMM VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
Mini DIMM 4 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Mini-DIMM VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
Mini DIMM 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Mini-DIMM VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
Mini DIMM 8 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Mini-DIMM VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
Mini DIMM 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Mini-DIMM VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
Mini DIMM 8 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Mini-DIMM VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
Mini DIMM 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Mini-DIMM VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
Mini DIMM 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 1GB Unbuffered ECC Module VLP CL6
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs, ECC 1 GB DDR2 800 MT/s 1.8 V to 2.5 V 240 Pin