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|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QA8BVTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩156,935.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
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최소: 50
배수: 50
|
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SODIMMs
|
16 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
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메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QA8BVTDMW
- ATP Electronics
-
50:
₩168,951.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVTDMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
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|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QA8BVVFME
- ATP Electronics
-
50:
₩156,935.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVVFME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR3
|
2933 MT/s
|
1.5 V
|
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메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QA8BVVFMW
- ATP Electronics
-
50:
₩168,951.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVVFMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2933 MT/s
|
1.5 V
|
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|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QA8BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩156,935.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR3
|
3200 MT/s
|
1.5 V
|
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|
메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QA8BVWEMW
- ATP Electronics
-
50:
₩160,935.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVWEMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.5 V
|
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|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QE8BNPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩167,345.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
1.5 V
|
|
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|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QE8BNRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩167,345.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
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|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QE8BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩160,935.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QE8BNRCSW
- ATP Electronics
-
50:
₩172,951.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNRCSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QE8BNTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩167,345.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QE8BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩160,935.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM- Samsung Org.
- A4G16QE8BNTDSO
- ATP Electronics
-
500:
₩134,831
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNTDSO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM- Samsung Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 500
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QE8BNTDSW
- ATP Electronics
-
50:
₩172,951.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNTDSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QE8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩160,935.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QE8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G32Q28BVPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩292,569.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G32Q28BVPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
32 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G32Q28BVRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩292,569.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G32Q28BVRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
32 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G32Q28BVRCSW
- ATP Electronics
-
50:
₩304,424.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G32Q28BVRCSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G32Q28BVTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩292,569.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G32Q28BVTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
32 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G32Q28BVTDSW
- ATP Electronics
-
50:
₩304,424.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G32Q28BVTDSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G32QE8BVPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩282,291
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G32QE8BVPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
32 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G32QE8BVRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩282,291
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G32QE8BVRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
32 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
- A4G32QE8BVRCMW
- ATP Electronics
-
50:
₩294,146.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G32QE8BVRCMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G32QE8BVTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩282,291
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G32QE8BVTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
32 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
- A4G32QE8BVTDMW
- ATP Electronics
-
50:
₩294,146.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G32QE8BVTDMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|