|
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩63,539.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
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메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩61,918.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
4 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
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|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩99,119.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
1.5 V
|
|
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|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩99,119.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
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|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩95,863.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNRCSW
- ATP Electronics
-
50:
₩103,995.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNRCSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩101,543
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩95,863.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM- Samsung Org.
- A4G08QA8BNTDSO
- ATP Electronics
-
500:
₩72,693.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNTDSO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM- Samsung Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 500
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNTDSW
- ATP Electronics
-
50:
₩103,995.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNTDSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩99,119.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
3200 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩95,863.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
3200 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4G08QC6BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩102,900.8
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWEME
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4G08QC6BVWEMFV
- ATP Electronics
-
50:
₩95,819.8
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWEMFV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4G08QC6BVWESBV
- ATP Electronics
-
50:
₩89,366.6
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWESBV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4G08QC6BVWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩100,199.8
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWESE
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QE8BLPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩108,054.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QE8BLPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QE8BLRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩108,054.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QE8BLRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QE8BLTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩108,054.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QE8BLTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QK6BNPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩86,519.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QK6BNPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QK6BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩86,519.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QK6BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QK6BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩86,519.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QK6BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
8 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QA8BVPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩156,935.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QA8BVRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩156,935.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G16QA8BVRCMW
- ATP Electronics
-
50:
₩168,951.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G16QA8BVRCMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
1.5 V
|
|
|
|
대한민국