|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
- A4F08QD8BNTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩101,557.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F08QD8BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
- A4F08QD8BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩88,957.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F08QD8BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
|
|
|
|
|
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메모리 모듈 WT 8GB Unb ECC SODIMM
- A4F08QD8BNTDSW
- ATP Electronics
-
50:
₩116,595.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F08QD8BNTDSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
|
|
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|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
- A4F08QD8BNWEME
- ATP Electronics
-
1:
₩90,928.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F08QD8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
|
₩90,928.8
|
|
|
₩87,702.2
|
|
|
₩84,826
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR3
|
3200 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
- A4F08QD8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩88,957.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F08QD8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR3
|
3200 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
- A4F08QG8BLPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩117,530
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F08QG8BLPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
|
|
|
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|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
- A4F08QG8BLRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩117,530
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F08QG8BLRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
- A4F08QG8BLTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩117,530
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F08QG8BLTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
8 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4F16Q38BVWESCV
- ATP Electronics
-
50:
₩181,492.6
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16Q38BVWESCV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
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|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩166,542.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩166,542.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVRCMW
- ATP Electronics
-
50:
₩186,558.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVRCMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩166,542.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVTDMW
- ATP Electronics
-
50:
₩186,558.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVTDMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2666 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVVFME
- ATP Electronics
-
50:
₩166,542.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVVFME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2933 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVVFMW
- ATP Electronics
-
50:
₩186,558.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVVFMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2933 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩166,542.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
3200 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QD8BVWEMW
- ATP Electronics
-
50:
₩181,565.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QD8BVWEMW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩213,787.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩132,203
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2133 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩249,981.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩166,542.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2400 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNRCSW
- ATP Electronics
-
50:
₩186,558.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNRCSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR4
|
2400 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩213,787.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
|
|
|
|
|
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
- A4F16QG8BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩166,542.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4F16QG8BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
SODIMMs, ECC
|
16 GB
|
DDR3
|
2666 MT/s
|
|
|
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