ATP Electronics 메모리 모듈

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 메모리 크기 메모리 타입 속도 작동 공급 전압 최고 작동온도 핀 수
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM 4재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 IG Module 1GB Unb Non ECC SO-DIMM 25재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 1 GB DDR2 667 MT/s 1.8 V to 2.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM 16재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 8 GB DDR3 2133 MT/s 1.5 V
ATP Electronics X4B16QF4BNTDME-R-SEC
ATP Electronics 메모리 모듈 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 GB DDR4
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unbuffered Non ECC Module 6재고 상태
최소: 1
배수: 1
DIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM 30재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 2133 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 2GB Unbuffered Non ECC SO-DIMM 89재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 2 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP 3재고 상태
최소: 1
배수: 1
DIMMs, ECC 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC Module 3재고 상태
최소: 1
배수: 1
DIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unbuffered Non ECC Module 6재고 상태
최소: 1
배수: 1
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb ECC SODIMM 20재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 2133 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB DDR4-2133 Unbuffered Non-ECC Sodimm 1재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM 1재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC Module 20재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 4GB Unb Non-ECC SODIMM 18재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 4 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 4 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50