메모리 모듈

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 메모리 크기 메모리 타입 속도 작동 공급 전압 최고 작동온도 핀 수
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Mini-DIMM VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
Mini DIMM 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Mini-DIMM VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
Mini DIMM 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
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ATP Electronics 메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB ULP Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1333 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1600 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
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DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1066 MT/s 1.5 V 240 Pin