2400 MT/s 메모리 모듈

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 메모리 크기 메모리 타입 속도 작동 공급 전압 최고 작동온도 핀 수
Innodisk 메모리 모듈 4GB 2400MT/s 512Mx8 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2400MT/s 512Mx8, 4GB 비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

RDIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 8GB 2400MT/s 1Gx8 비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

RDIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2400MT/s 1Gx8, 16GB 비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

RDIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 4GB 2400MT/s, 256Mx16 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 8GB 2400MT/s, 1Gx8 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SODIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2400MT/s 512Mx16, 4GB 비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2400MT/s, 1Gx8, 8GB 비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
Innodisk 메모리 모듈 2400MT/s 1Gx8, 16GB 비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

UDIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
congatec 068715
congatec 메모리 모듈 재고 없음
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s + 85 C
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 4 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 8 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 8 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 8 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 2400 MT/s 1.2 V 288 Pin