1866 MT/s 메모리 모듈

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SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR3 UDIMM 8GB 1Gbx64 240-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 512Mx8 Non-ECC Dual Rank 30.00mm I-Temp 97재고 상태
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UDIMMs 8 GB DDR3L 1866 MT/s 1.35 V + 85 C 240 Pin
Intelligent Memory 메모리 모듈 2GB, DDR3, Non-ECC SO-DIMM, 1.35V, 0 to 95C 재고 없음
최소: 1
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SODIMMs 2 GB DDR3 1866 MT/s + 95 C
SMART Modular Technologies SPI1026SV351838SE
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR3 SODIMM 8GB 1Gbx64 204-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 512Mx8 Non-ECC Dual Rank 30.00mm I-Temp 재고 없음
최소: 50
배수: 1

SODIMMs 8 GB DDR3L 1866 MT/s 1.35 V + 85 C 204 Pin
SMART Modular Technologies SPI2566SV325838SF
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR3 SODIMM 2GB 256Mbx64 204-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 256Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm I-Temp 재고 없음
최소: 200
배수: 1

SODIMMs 2 GB DDR3 1866 MT/s 1.35 V + 85 C 204 Pin
SMART Modular Technologies SPI2566UV325838SF
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR3 UDIMM 2GB 256Mbx64 240-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 256Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm I-Temp 재고 없음
최소: 200
배수: 1

UDIMMs 2 GB DDR3L 1866 MT/s 1.35 V + 85 C 240 Pin
SMART Modular Technologies SPI5126SV351838SE
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR3 SODIMM 4GB 512Mbx64 204-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 512Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm I-Temp 재고 없음
최소: 150
배수: 1

SODIMMs 4 GB DDR3L 1866 MT/s 1.35 V + 85 C 204 Pin
SMART Modular Technologies SPI5126UV351838SE
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR3 UDIMM 4GB 512Mbx64 240-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 512Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm I-Temp 재고 없음
최소: 150
배수: 1

UDIMMs 4 GB DDR3L 1866 MT/s 1.35 V + 85 C 240 Pin
SMART Modular Technologies SP1026SV351838SE
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR3 SODIMM 8GB 1Gbx64 204-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 512Mx8 Non-ECC Dual Rank 30.00mm C-Temp 재고 없음
최소: 100
배수: 1

SODIMMs 8 GB DDR3L 1866 MT/s 1.35 V + 85 C 204 Pin
SMART Modular Technologies SP1026UV351838SE
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR3 UDIMM 8GB 1Gbx64 240-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 512Mx8 Non-ECC Dual Rank 30.00mm C-Temp 재고 없음
최소: 100
배수: 1

UDIMMs 8 GB DDR3L 1866 MT/s 1.35 V + 85 C 240 Pin
SMART Modular Technologies SP2566SV325838SF
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR3 SODIMM 2GB 256Mbx64 204-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 256Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm C-Temp 재고 없음
최소: 200
배수: 1

SODIMMs 2 GB DDR3L 1866 MT/s 1.35 V + 85 C 204 Pin
SMART Modular Technologies SP2566UV325838SF
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR3 UDIMM 2GB 256Mbx64 240-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 256Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm C-Temp 재고 없음
최소: 200
배수: 1

UDIMMs 2 GB DDR3L 1866 MT/s 1.35 V + 85 C 240 Pin
SMART Modular Technologies SP5126UV351838SE
SMART Modular Technologies 메모리 모듈 DDR3 UDIMM 4GB 512Mbx64 240-Pin 1866MT/s PC3-14900 CL=13 1.35V 512Mx8 Non-ECC Single Rank 30.00mm C-Temp 재고 없음
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UDIMMs 4 GB DDR3L 1866 MT/s 1.35 V + 85 C 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs, ECC 4 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs, ECC 8 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 50
DIMMs, ECC 8 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 4GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 4GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 4GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 4GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 8GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 8GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 8GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 8GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 1866 MT/s 1.5 V 240 Pin