3200 MT/s 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR4 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR4 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
리드 타임 29 주
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR3 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR3 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics A4B04QD8BLWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
LRDIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4B32QE8BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
LRDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4B64QB4BVWESO
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
RDIMMs 64 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNWEME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNWESE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QZ8BVWEME
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVWESW
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QC6BVWESAV
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 200
배수: 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D32QB8BVWESE
ATP Electronics 메모리 모듈
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin