2666 MT/s 메모리 모듈

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수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
최고 작동온도
핀 수
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 2666 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 2666 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR4 2666 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR3 2666 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR4 2666 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR3 2666 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR4 2666 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM- Samsung Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 500
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM- Samsung Org.
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 500
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics A4B08QG8BNTDME
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
VLP RDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin