메모리 모듈

결과: 17
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ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM 4재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM 1재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR4 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR4 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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SODIMMs 8 GB DDR3 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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SODIMMs 16 GB DDR3 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
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SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
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SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR3 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V