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메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
- A4B08QD8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩132,830
-
비재고 리드 타임 29 주
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Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNWEME
|
ATP Electronics
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메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
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DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
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메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
- A4B08QD8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩127,413.2
-
비재고 리드 타임 29 주
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Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module
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비재고 리드 타임 29 주
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|
최소: 50
배수: 50
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DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
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메모리 모듈 8GB Registered ECC Module-Samsung Org.
- A4B08QD8BNWESO
- ATP Electronics
-
50:
₩107,063.2
-
비재고 리드 타임 29 주
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Mouser 부품 번호
162-A4B08QD8BNWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Registered ECC Module-Samsung Org.
|
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
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DIMMs
|
8 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
|
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메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
- A4B16QC4BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩232,833.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16QC4BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
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DIMMs
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16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
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메모리 모듈 16GB Registered ECC Module-Micron Org.
- A4B16QC4BNWEMO
- ATP Electronics
-
50:
₩258,023.2
-
비재고 리드 타임 29 주
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Mouser 부품 번호
162-A4B16QC4BNWEMO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module-Micron Org.
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
|
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|
DIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
|
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메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
- A4B16QE8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩235,675.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16QE8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
|
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
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DIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
|
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메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
- A4B16QE8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩222,133.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16QE8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
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|
최소: 50
배수: 50
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|
DIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
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메모리 모듈 16GB Registered ECC Module-Samsung Org.
- A4B16QE8BNWESO
- ATP Electronics
-
50:
₩174,506.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B16QE8BNWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 16GB Registered ECC Module-Samsung Org.
|
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비재고 리드 타임 29 주
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|
최소: 50
배수: 50
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|
|
DIMMs
|
16 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
|
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메모리 모듈 32GB Registered ECC Module
- A4B32QB4BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩426,166
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B32QB4BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
DIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
|
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메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
- A4B32QB4BNWESO
- ATP Electronics
-
50:
₩284,544.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B32QB4BNWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
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비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
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|
DIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
|
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메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Micron Org.
- A4B32QC4BVWEMO
- ATP Electronics
-
50:
₩481,562.4
-
비재고 리드 타임 29 주
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Mouser 부품 번호
162-A4B32QC4BVWEMO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Micron Org.
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비재고 리드 타임 29 주
|
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최소: 50
배수: 50
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DIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
|
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메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
- A4B32QC4BVWESO
- ATP Electronics
-
50:
₩284,544.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B32QC4BVWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
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DIMMs
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32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
|
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메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
- A4B32QE8BVWESO
- ATP Electronics
-
50:
₩284,544.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B32QE8BVWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Registered ECC Module-Samsung Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
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DIMMs
|
32 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
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메모리 모듈 64GB Registered ECC Module-Samsung Org.
- A4B64QA4BVWESO
- ATP Electronics
-
50:
₩704,406
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4B64QA4BVWESO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 64GB Registered ECC Module-Samsung Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
DIMMs
|
64 GB
|
DDR4
|
3200 MT/s
|
1.2 V
|
288 Pin
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