Tube SRAM

결과: 294
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Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 64K x 16, 3.3V, 44pin SOJ(400mil), 12ns, Industrial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 160
배수: 16

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 75 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 64K x 16, 3.3V, 44pin SOJ(400mil), 15ns, Commercial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 160
배수: 16

1 Mbit 64 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 70 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 64K x 16, 3.3V, 44pin SOJ(400mil), 20ns, Commercial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 160
배수: 16

1 Mbit 64 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 65 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 3.3V, 28pin SOJ, 15ns, Commercial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 250
배수: 25

256 kbit 32 k x 8 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 40 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 3.3V, 28pin SOJ, 15ns, Industrial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 250
배수: 25

256 kbit 32 k x 8 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 3.3V, 28pin SOJ, 20ns, Commercial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 250
배수: 25

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 35 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 3.3V, 28pin SOJ, 20ns, Industrial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 250
배수: 25

256 kbit 32 k x 8 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-28 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 512K x 8, 3.3V, 36pin SOJ, 20ns, Commercial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 190
배수: 19

4 Mbit 512 k x 8 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 100 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 512K x 8, 3.3V, 36pin SOJ, 20ns, Industrial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 190
배수: 19

4 Mbit 512 k x 8 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 15ns, Commercial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 160
배수: 16

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 20ns, Commercial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 160
배수: 16

4 Mbit 256 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 100 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 20ns, Industrial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 160
배수: 16

4 Mbit 256 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 10ns, Commercial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 160
배수: 16

512 kbit 32 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 75 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 15ns, Commercial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 160
배수: 16

512 kbit 32 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 70 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 512K x 8, 5V, 36pin SOJ, 15ns, Industrial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 120 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 512K x 8, 5V, 36pin SOJ, 20ns, Commercial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 190
배수: 19

4 Mbit 512 k x 8 20 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 100 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 5V, 44pin SOJ, 12ns, Commercial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 160
배수: 16

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 160 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 5V, 44pin SOJ, 15ns, Commercial Temp - Tube 비재고 리드 타임 8 주
최소: 160
배수: 16

512 kbit 32 k x 16 15 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 100 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
ISSI SRAM 8M (256Kx36) 200MHz Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tube
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin SOP, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tube
ISSI SRAM 4Mb 2.5V 7.5ns 128K x 32 Sync SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 72
배수: 72

TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 4Mb 128Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 4Mb 256Kx18 7.5ns Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 72
배수: 72

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8M (256Kx36) 200MHz Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 26 주
최소: 72
배수: 72

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube