8 Mbit SRAM

결과: 190
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ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 135
배수: 135

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Bulk

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 135
배수: 135

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Bulk

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

8 Mbit 512 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power Async, 1Mbx8 5v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power Async, 512Kx16, 5v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 70 ns 2.2 V 1.65 V 4 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Bulk
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,256K x 32,8ns/3.3V,or 10ns/2.4V-3.6V,90 Ball mBGA(8x13 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 256 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-90 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel