|
|
SRAM 8Mb 3V 55ns 512K x 16 LP SRAM
- CY62157EV30LL-55ZSXET
- Infineon Technologies
-
1,000:
₩16,411.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62157EV55ZSXET
|
Infineon Technologies
|
SRAM 8Mb 3V 55ns 512K x 16 LP SRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
55 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
35 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
|
Reel
|
|
|
|
SRAM CY62157H30-45BVXAT
- CY62157H30-45BVXAT
- Infineon Technologies
-
1:
₩17,378.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62157H30-45BVT
|
Infineon Technologies
|
SRAM CY62157H30-45BVXAT
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩17,378.4
|
|
|
₩17,050.8
|
|
|
₩16,848
|
|
|
₩16,395.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩11,746.8
|
|
|
₩16,036.8
|
|
|
₩15,756
|
|
|
₩11,746.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,000
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
45 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
36 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
VFBGA-48
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
SRAM CY62157H30-45BVXA
- CY62157H30-45BVXA
- Infineon Technologies
-
1:
₩17,378.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62157H30-45BVX
|
Infineon Technologies
|
SRAM CY62157H30-45BVXA
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩17,378.4
|
|
|
₩17,050.8
|
|
|
₩16,863.6
|
|
|
₩16,411.2
|
|
|
₩11,840.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
45 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
36 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
VFBGA-48
|
|
Tray
|
|
|
|
SRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 LP SRAM
- CY62158EV30LL-45BVXIT
- Infineon Technologies
-
2,000:
₩7,956
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62158EV45BVXIT
|
Infineon Technologies
|
SRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 LP SRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
8 Mbit
|
1 M x 8
|
45 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
VFBGA-48
|
|
Reel
|
|
|
|
SRAM Micropower SRAMs
- CY62158H-45ZSXIT
- Infineon Technologies
-
1,000:
₩10,467.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62158H-45ZSXIT
|
Infineon Technologies
|
SRAM Micropower SRAMs
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
8 Mbit
|
1 M x 8
|
45 ns
|
|
Parallel
|
5.5 V
|
4.5 V
|
36 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
|
Reel
|
|
|
|
SRAM Async SRAMS
- CY7C1051H30-10ZSXIT
- Infineon Technologies
-
1:
₩54,334.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY7C1051H3010ZIT
|
Infineon Technologies
|
SRAM Async SRAMS
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩54,334.8
|
|
|
₩50,294.4
|
|
|
₩48,687.6
|
|
|
₩47,486.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩38,625.6
|
|
|
₩46,207.2
|
|
|
₩44,475.6
|
|
|
₩44,460
|
|
|
₩38,625.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
60 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
SRAM ASYNC
- CY7C1051H30-10BV1XE
- Infineon Technologies
-
1:
₩55,629.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY7C1051H30BV1XE
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩55,629.6
|
|
|
₩51,480
|
|
|
₩49,826.4
|
|
|
₩44,413.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩42,868.8
|
|
|
₩38,641.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
60 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
VFBGA-48
|
|
Tray
|
|
|
|
SRAM ASYNC
- CY7C1051H30-10BV1XET
- Infineon Technologies
-
2,000:
₩40,248
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY7C1051H30V1XET
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
60 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
VFBGA-48
|
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM
- CY62157ELL-45ZSXIT
- Infineon Technologies
-
1,000:
₩15,350.4
-
비재고 리드 타임 26 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
727-CY2157ELL45ZSXIT
NRND
|
Infineon Technologies
|
SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
45 ns
|
|
Parallel
|
5.5 V
|
4.5 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM
- CY62157ESL-45ZSXIT
- Infineon Technologies
-
1,000:
₩11,512.8
-
비재고 리드 타임 26 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
727-CY62157ESL45ZSX
NRND
|
Infineon Technologies
|
SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
45 ns
|
|
Parallel
|
5.5 V
|
2.2 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
|
Reel
|
|
|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62157G18-55BVXI
- CY62157G18-55BVXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,943.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62157G1855BVXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩15,943.2
|
|
|
₩15,038.4
|
|
|
₩14,679.6
|
|
|
₩14,398.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩13,790.4
|
|
|
₩11,746.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
55 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
22 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
|
|
Tray
|
|
|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62157G30-45ZSXI
- CY62157G30-45ZSXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩16,426.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62157G3045ZSXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩16,426.8
|
|
|
₩15,802.8
|
|
|
₩14,461.2
|
|
|
₩12,417.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
55 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
|
|
Tray
|
|
|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62157G30-45ZXI
- CY62157G30-45ZXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩16,395.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62157G3045ZXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩16,395.6
|
|
|
₩15,537.6
|
|
|
₩15,194.4
|
|
|
₩14,944.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩12,355.2
|
|
|
₩11,778
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
55 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
|
|
Tray
|
|
|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62157GE30-45ZXI
- CY62157GE30-45ZXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,756
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62157GE3045ZXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩15,756
|
|
|
₩14,648.4
|
|
|
₩14,196
|
|
|
₩13,306.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩13,010.4
|
|
|
₩10,810.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
55 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
|
|
Tray
|
|
|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62158G30-45BVXI
- CY62158G30-45BVXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,600
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62158G3045BVXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩15,600
|
|
|
₩14,508
|
|
|
₩14,071.2
|
|
|
₩13,728
|
|
|
보기
|
|
|
₩13,400.4
|
|
|
₩12,402
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
8 Mbit
|
1 M x 8
|
45 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
|
|
Tray
|
|
|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62158G30-45ZSXI
- CY62158G30-45ZSXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩16,068
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62158G3045ZSXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩16,068
|
|
|
₩14,944.8
|
|
|
₩14,476.8
|
|
|
₩14,196
|
|
|
보기
|
|
|
₩12,573.6
|
|
|
₩11,200.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
8 Mbit
|
1 M x 8
|
45 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
|
|
Tray
|
|
|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62157GE30-45BVXI
- CY62157GE30-45BVXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩14,118
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-Y62157GE3045BVXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩14,118
|
|
|
₩13,681.2
|
|
|
₩10,935.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
55 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
|
|
Tray
|
|
|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62158GE30-45BVXI
- CY62158GE30-45BVXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,272.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-Y62158GE3045BVXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩15,272.4
|
|
|
₩11,715.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
8 Mbit
|
1 M x 8
|
45 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.2 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
|
|
Tray
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10TLI-TR
- ISSI
-
1:
₩24,991.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W1248EBLL1TLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩24,991.2
|
|
|
₩23,166
|
|
|
₩22,432.8
|
|
|
₩21,387.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩13,618.8
|
|
|
₩20,857.2
|
|
|
₩20,545.2
|
|
|
₩20,014.8
|
|
|
₩13,618.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
|
8 Mbit
|
1 M x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
90 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEALL-20BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩21,231.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EALL2BIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
90 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EEALL-20TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩18,704.4
-
비재고 리드 타임 12 주
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Mouser 부품 번호
870-61W51216EALL2TIT
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ISSI
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SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
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비재고 리드 타임 12 주
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최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
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8 Mbit
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512 k x 16
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20 ns
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Parallel
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2.2 V
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1.65 V
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90 mA
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- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
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TSOP-44
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Reel
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SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR
- ISSI
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2,500:
₩14,086.8
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비재고 리드 타임 12 주
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Mouser 부품 번호
870-61W51216EBL1B2IT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
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비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
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3.6 V
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2.4 V
|
95 mA
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- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
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TFBGA-48
|
|
Reel
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|
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SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩13,618.8
-
비재고 리드 타임 12 주
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Mouser 부품 번호
870-61W51216EBL1T2IT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
|
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비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-48
|
|
Reel
|
|
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SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEALL-20BLI
- ISSI
-
480:
₩21,247.2
-
비재고 리드 타임 12 주
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Mouser 부품 번호
870-61W51216EEALL2BI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩21,247.2
|
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|
견적
|
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|
견적
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|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
90 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
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SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EEALL-20TLI
- ISSI
-
135:
₩14,133.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEALL2TI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩14,133.6
|
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₩14,118
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최소: 135
배수: 135
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|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
90 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
|
|
|
대한민국
