8 Mbit SRAM

결과: 190
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ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 4,718재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 324재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 1,735재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns 18 MHz Parallel 3.6 V 2.5 V 4 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS, 48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 330재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 755재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns 2,045재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT

ISSI SRAM 8M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM 78재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 1Mbx8 45ns 6재고 상태
540예상 2026-08-10
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns 14재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT

ISSI SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns 6재고 상태
1,080주문 중
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 31재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 10 ns 3.6 V 2.4 V 140 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 28 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM 8재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-44 Tray
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 8Mb, 1M x 8, 2.7 - 3.6V, 44pin TSOP II, 45ns, Industrial Temp - Tray 54재고 상태
최소: 1
배수: 1
8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray
ISSI IS66WVS1M8ALL-104NLI
ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 193재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 9재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 262재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 2 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 12재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 2 M x 4 7 ns 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 55ns 512K x 16 LP SRAM
540예상 2026-11-12
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Alliance Memory SRAM SRAM, 8Mb, 1024K x 8, 3.3V, 44pin TSOP II, 10ns, Industrial Temp - Tray
135예상 2026-08-18
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel, Cut Tape, MouseReel