32 Mbit SRAM

결과: 36
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 2,449재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 3,193재고 상태
3,000예상 2026-10-07
최소: 1
배수: 1
: 3,000

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI SRAM 32Mb,High-Speed-Automotive,Async,2048K x 16,12ns,2.4v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS, Automotive temp 185재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 2 M x 16 12 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 110 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-48
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT

ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 388재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 8 M x 4 7 ns 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns 215재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI IS66WVS4M8ALL-104NLI
ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 363재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3V 55ns 2M x 16 LP SRAM 308재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3V 55ns 2M x 16 LP SRAM 72재고 상태
2,100예상 2026-07-30
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM SRAM 32MB ADV. 3V TSOP48 55NS -40TO85C 377재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3.3V 12ns 2Mx16 Fast Async SRAM 133재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 2 M x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray


ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 6,513재고 상태
7,000예상 2026-05-21
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI IS61WV204816BLL-10BLI
ISSI SRAM 32Mb High-Speed Async 1Mbx16 10ns 967재고 상태
1,440예상 2026-07-15
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 2 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 415재고 상태
최소: 1
배수: 1
32 Mbit 2 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.67 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI IS61WV204816BLL-10TLI
ISSI SRAM 32Mb High-Speed Async 2Mbx16 10ns 659재고 상태
1,920주문 중
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 2 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48
Infineon Technologies SRAM ASYNC
96주문 중
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Renesas Electronics SRAM SRAM 32MB ADV. 3V TSOP52 55NS -40TO85C
230주문 중
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
429예상 2026-06-12
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 8 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
Infineon Technologies SRAM 32Mb, 1.8V, 70ns MoBL SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 70 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 32Mb, 1.8V, 70ns MoBL SRAM 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 70 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3V 55ns 2M x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3V 55ns 2M x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM SRAM 32MB ADV. 3V TSOP48 55NS -40TO85C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns 3.6 V 2.7 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Infineon Technologies CY62177G30-55BAXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray