2 Mbit SRAM

결과: 204
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 자격 포장

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC 비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135

2 Mbit 55 ns 3.6 V 2.5 V 30 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 2Mb,Flow-Through,Sync,64K x 36,8.5ns,3.3v or 2.5v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 800
배수: 800
: 800

2 Mbit 64 k x 36 8.5 ns 90 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 2Mb,Pipeline Burst,Sync,64K x 32,133Mhz,3.3v,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 800
배수: 800
: 800

2 Mbit 64 k x 32 4 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 64 k x 32 4 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 2Mb,Pipeline Burst,Sync,64K x 36,133Mhz,3.3v,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 800
배수: 800
: 800

2 Mbit 64 k x 32 4 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 64 k x 32 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4V-3.6V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v 2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v 2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 55ns Async SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,55ns,2.5v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,55ns,2.5v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,55ns,2.5v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,10ns/3.3v, or 12ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 12 ns 3.6 V 2.4 V 60 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 55 ns 3.6 V 2.5 V 30 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 64 k x 36 8.5 ns 90 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 2Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,64K x 32,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 800
배수: 800
: 800

2 Mbit 64 k x 32 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,12ns/3.3v, or 15ns/2.5V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,2.5v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 2Mb, 256K x 8, 3V, 36pin TFBGA (6 x 8mm), 55ns, Industrial Temp - Tray 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Tray