16 Mbit SRAM

결과: 259
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 2 M x 8 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 96
배수: 96

16 Mbit 1 M x 16 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

16 Mbit 2 M x 8 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,512K x 32,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 90 Ball mBGA (8x13 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 512 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-90 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 1.98 V 1.65 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 1.98 V 1.65 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 25ns Async SRAM 비재고 리드 타임 16 주
최소: 210
배수: 210

16 Mbit 1 M x 16 25 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 55 ns 3.6 V 2.2 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel