16 Mbit SRAM

결과: 259
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 500
배수: 500
: 500

16 Mbit 512 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT PBGA-119 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 500
배수: 500
: 500

16 Mbit 512 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT PBGA-119 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 110 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54 Reel
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 45NS -40TO85C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 45NS -40TO85C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 253
배수: 253

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 45NS -40TO85C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 96
배수: 96

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 45NS -40TO85C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 55NS -40TO85C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Renesas Electronics SRAM SRAM 16MB 3V X16 TSOP48 55NS -40TO85C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
없음
16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
없음
16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 3V 45ns 1M x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
없음
16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 3V 45ns 1M x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,800
배수: 4,800
없음
16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 15 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 80 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Infineon Technologies CY7C1061GN18-15ZSXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 15 ns - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies CY7C1061GN18-15ZSXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC SRAMS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 Mbit 1 M x 16 15 ns - 40 C + 85 C Reel