+ 125 C Reel SRAM

결과: 76
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Microchip Technology SRAM 16k, 3.0V EERAM IND 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 3,300

16 kbit 2 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology SRAM 4k, 5.0V EERAM IND 2,712재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,300

4 kbit 512 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 5.5 V 4.5 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT Reel, Cut Tape
Microchip Technology SRAM 4k, 3.0V EERAM IND 2,154재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,300

4 kbit 512 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 4Mb,Flowthrough,Sync,128K x 32,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp 47재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

4 Mbit 7.5 ns 117 MHz 3.465 V 3.135 V 175 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100 Reel, Cut Tape, MouseReel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 8재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

4 Mbit 10 ns 3.6 V 2.4 V 60 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology SRAM 16k, 3.0V EERAM EXT
3,300예상 2027-04-19
최소: 1
배수: 1
: 3,300

16 kbit 2 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 11 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 11 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT 비재고 리드 타임 11 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT 비재고 리드 타임 11 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 64K 8K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT 비재고 리드 타임 11 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

64 kbit 8 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 64K 8K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT 비재고 리드 타임 11 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

64 kbit 8 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 1024K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 11 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 1024K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 11 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel, Cut Tape
Microchip Technology SRAM 16k, 5.0V EERAM IND 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

16 kbit 2 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 5.5 V 4.5 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT Reel
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 23 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 23 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 23 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 23 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 55ns 128K x 8 Low Power SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT STSOP-32 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 55ns 512K x 16 LP SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel