200 MHz SRAM

결과: 1,244
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Infineon Technologies SRAM Sync SRAMs 96재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 178 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 2.5V CORE ZBT X18 18M 21재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 3.2 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 275 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI IS66WVO32M8DALL-200BLI
ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 479재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 Mbit 32 M x 8 5 ns 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
GSI Technology SRAM NBT SRAMs, 9Mb, x32, 200MHz, Industrial Temp 48재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 145 mA, 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M 37재고 상태
최소: 1
배수: 1
9 Mbit 512 k x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 175 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M 2재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,1Mb x 36,200Mhz,3.3v/2.5v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 72재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v 222재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v 540재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 18Mb 200MHz, 3.3V or 2.5V 1Mx18 Sync SRA 7재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync SRAM 60재고 상태
72예상 2026-11-16
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 262재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 2 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI SRAM 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v 53재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v 25재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 18M (512Kx36) 200MHz Sync SRAM 2.5v 8재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
45예상 2026-12-24
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 345 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
36예상 2026-07-08
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M
6예상 2026-06-19
최소: 1
배수: 1
없음
36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync SRAM
140예상 2026-11-11
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
429예상 2026-06-12
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 8 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 410 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M 비재고 리드 타임 12 주
최소: 15
배수: 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 360 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M 비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 330 mA, 400 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray