MOBL™ Async SRAMs

Infineon Technologies MOBL™ Async SRAM devices comprise a broad portfolio with densities ranging from 64Kb to 64Mb. The MOBL SRAMs are available in industry-standard voltage, bus width, and package options. The devices offer Standby Power Dissipation (maximum) specifications. The MOBL Asynchronous SRAMs are ideal for battery-powered and battery-backed solutions across various application segments. The MOBL SRAM devices are available in industrial, automotive, and radiation-hardened temperature grades.

결과: 126
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공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장

Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-32 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 45ns 128K x 16 Low Power SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 1.8V 55ns 128K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 45ns 256K x 8 Low Power SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 256K x 8 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,800
배수: 4,800

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3V 55ns 2M x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 64Mb 3V 55ns 4M x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3V 55ns 2M x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 960
배수: 960
없음
16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb 1.8V 55ns 1M x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
없음
16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.25 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
없음
4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb 3V 45ns 1M x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
없음
16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 4,800
배수: 4,800
없음
4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb 3V 45ns 1M x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 4,800
배수: 4,800
없음
16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray