Renesas Electronics SRAM

결과: 453
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Renesas Electronics SRAM 2KX8 DUAL PORT SLVE W/INT 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

TQFP-64 Reel
Renesas Electronics SRAM 2K X 16 DUAL PORT SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 250
배수: 250
: 250

32 kbit 2 k x 16 20 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 280 mA 0 C + 70 C SMD/SMT PLCC-68 Reel
Renesas Electronics SRAM 2.5V CORE ZBT X18 18M 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 4.2 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 2.5V CORE ZBT X18 18M 비재고 리드 타임 18 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 1 M x 18 4.2 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 195 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 2.5V CORE ZBT X18 18M 비재고 리드 타임 18 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 1 M x 18 3.5 ns 166 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 245 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 2.5V CORE ZBT X18 18M 비재고 리드 타임 18 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 1 M x 18 3.5 ns 166 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 265 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 2.5V CORE ZBT X18 18M 비재고 리드 타임 18 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 100 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 295 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 2.5V CORE ZBT X18 18M 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 100 MHz Parallel 2.5 V 2.5 V 275 mA - 40 C + 85 C TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 3V 64K X 16 SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 64 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

1 Mbit 64 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

1 Mbit 64 k x 16 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 120 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 144
배수: 72

4 Mbit 128 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 500
배수: 500
: 500

8 kbit 1 k x 8 25 ns Parallel 3.6 V 3 V 120 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-64 Reel
Renesas Electronics SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 500
배수: 500
: 500

8 kbit 1 k x 8 35 ns Parallel 3.6 V 3 V 145 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-64 Reel
Renesas Electronics SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 280
배수: 40

8 kbit 1 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 3 V 135 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-64 Tray
Renesas Electronics SRAM 2Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

16 kbit 2 k x 8 25 ns Parallel 3.6 V 3 V 100 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-64 Reel
Renesas Electronics SRAM 2Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

16 kbit 2 k x 8 25 ns Parallel 3.6 V 3 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-64 Tray
Renesas Electronics SRAM 2Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

16 kbit 2 k x 8 25 ns Parallel 3.6 V 3 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-64 Reel
Renesas Electronics SRAM 2Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 270
배수: 45

16 kbit 2 k x 8 35 ns Parallel 3.6 V 3 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-64 Tray
Renesas Electronics SRAM 2Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 750
배수: 750
: 750

16 kbit 2 k x 8 35 ns Parallel 3.6 V 3 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-64 Reel
Renesas Electronics SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT 비재고 리드 타임 18 주
최소: 136
배수: 136

4 Mbit 128 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 144
배수: 72

4 Mbit 128 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 320 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 144
배수: 72

4 Mbit 128 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRM FAST X3 비재고 리드 타임 18 주
최소: 168
배수: 84

4 Mbit 128 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 320 mA 0 C + 70 C SMD/SMT PBGA-119 Tray