ISSI SRAM

결과: 1,229
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 185 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 2Mb,Flow-Through,Sync,64K x 36,8.5ns,3.3v or 2.5v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

2 Mbit 64 k x 36 8.5 ns 90 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 2Mb,Pipeline Burst,Sync,64K x 32,133Mhz,3.3v,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

2 Mbit 64 k x 32 4 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 64 k x 32 4 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 2Mb,Pipeline Burst,Sync,64K x 36,133Mhz,3.3v,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

2 Mbit 64 k x 32 4 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP,3CE, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

18 Mbit 512 k x 36 2.6 ns 250 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 8M (256Kx36) 200MHz Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3v or 2.5v I/O,165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 144
배수: 144

18 Mbit 2.6 ns 250 MHz 3.465 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tube
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O,165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 144
배수: 144

18 Mbit 3.1 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tube
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O,165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

18 Mbit 3.1 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 3.1 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 425 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb 128Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.35 V 3.25 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 4Mb 256Kx18 7.5ns Sync SRAM 3.3v 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.35 V 3.25 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Bulk
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

9 Mbit 7.5 ns 117 MHz 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,1Mb x 18,200Mhz,3.3v/2.5v - I/O,165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

18 Mbit 3.1 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb 1Mbx18 200Mhz Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 1 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,1Mb x 18,200Mhz,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 3.1 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 3.1 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel