ISSI SRAM

결과: 1,229
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 3Mb,High-Speed,Async,128K x 24,8ns,3.3v,119 Ball PBGA (14x22 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 84
배수: 84

3 Mbit 128 k x 24 8 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 110 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119
ISSI SRAM 3Mb,High-Speed,Async,128K x 24,8ns,3.3v,119 Ball PBGA (14x22 mm), RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

3 Mbit 128 k x 24 8 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 110 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Reel
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

64 Mbit 8 M x 8 200 MHz Serial 1.95 V 1.7 V - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-24 Reel
ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

64 Mbit 8 M x 8 166 MHz Serial - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-24 Reel
ISSI SRAM 256Mb 1.8V/3.0V SERIAL PSRAM MEMORY WITH 200MHZ DTR OPI (OCTAL PERIPHERAL INTERFACE) PROTOCOL 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500

166 MHz Serial 3.6 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C BGA-24 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

9 Mbit 512 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel

ISSI SRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

256 M x 8 32 M x 8 35 ns 200 MHz 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

64 Mb 8 M x 8 35 ns 200 MHz 2 V 1.7 V 15 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

64 Mb 8 M x 8 35 ns 200 MHz 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,1Mb x 18,200Mhz,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 1 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,1Mb x 18,250Mhz,3.3v/2.5v - I/O,165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,1Mb x 18,250Mhz,3.3v/2.5v - I/O,165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 144
배수: 144

FBGA-165
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,2Mb x 18,200Mhz,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin QFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

TQFP-100
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,2Mb x 18,200Mhz,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin QFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT QFP-100
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800
QFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,7.5ns,2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

QFP-100
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,7.5ns,2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800
QFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,2Mb x 18,200Mhz,2.5v - I/O,100 Pin QFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

TQFP-100
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,2Mb x 18,200Mhz,2.5v - I/O,100 Pin QFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

TQFP-100 Reel

ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

128 Mb 16 M x 8 200 MHz OPI 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 105 C TFBGA-24

ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

128 Mb 16 M x 8 200 MHz OPI 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

256 Mb 32 M x 8 200 MHz OPI 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24