ISSI SRAM

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 1 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 36, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 1 M x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 1 M x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.25 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 36, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 1 M x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 850 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 1 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 2 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.25 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 36, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 850 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 4M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.25 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 2 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 36, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 4M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 4 M x 18 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm),RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 4M x 18, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 4 M x 18 8.4 ns 250 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 700 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS, ODT Option 1 비재고 리드 타임 30 주
최소: 144
배수: 144

36 Mbit 1 M x 36 2.5 ns 400 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 620 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165
ISSI SRAM 72Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 333 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm),RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm),RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm),RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm),RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm),RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm),RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm),RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm),RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray